SiC（碳化硅）是第三代半导体材料，具有耐高压、耐高温、低损耗的特性，是新能源汽车、光伏、轨道交通等领域的核心功率器件。全球SiC市场规模约25亿美元（2023），预计2027年达120亿美元，CAGR超40%。新能源汽车是最大应用市场（约占60%），800V平台趋势加速SiC渗透（1200V SiC是唯一选择）。SiC产业链最核心的是衬底（占器件成本50%），Wolfspeed是全球SiC衬底龙头（约55%份额），但面临财务困境；意法半导体是SiC器件龙头（约35%份额），特斯拉是最大客户。国产替代：天岳先进（衬底）、斯达半导（模块）、三安光电（全产业链）。SiC器件国产化率约15%，衬底国产化率约20%。最大挑战：SiC成本仍远高于Si（5-6倍价差），8寸量产技术不成熟